芯片性能湖大新思路：超短沟道的垂直晶体管-湖南大学校友总会

发布于：2021年05月06日作者：湖南大学来源：湖南大学微信公众号点击：[]

物理与微电子科学学院（以下简称“物电院”）刘渊教授团队，通过使用范德华金属集成的方法，实现了超短沟道的垂直场效应晶体管，为半导体器件性能的进一步提升提供了全新的思路。

该项研究成果以“Transferred van der Waals metal electrodes for sub-1-nm MoS₂vertical transistors”为题发表在《自然·电子学》（Nature Electronics）杂志上，湖南大学物电院为第一单位，刘渊教授为通讯作者，物电院研究生刘丽婷为第一作者。