4 月 27 日,《自然·电子学》(Nature Electronics)杂志刊登了我校物理与微电子科学学院教授、麻省理工科技评论 2019 年“35 岁以下科技创新35 人”中国区得主、首届“东华软件青年学者”刘渊教授团队的一项突破性进展。他们通过使用范德华金属集成的方法,成功实现了 1 纳米物理沟道长度的垂直场效应晶体管,为半导体器件性能的进一步提升提供了全新的思路。
4 月 27 日,《自然·电子学》(Nature Electronics)杂志刊登了我校物理与微电子科学学院教授、麻省理工科技评论 2019 年“35 岁以下科技创新35 人”中国区得主、首届“东华软件青年学者”刘渊教授团队的一项突破性进展。他们通过使用范德华金属集成的方法,成功实现了 1 纳米物理沟道长度的垂直场效应晶体管,为半导体器件性能的进一步提升提供了全新的思路。
物理与微电子科学学院(以下简称“物电院”)刘渊教授团队,通过使用范德华金属集成的方法,实现了超短沟道的垂直场效应晶体管,为半导体器件性能的进一步提升提供了全新的思路。该项研究成果以“Transferred van der Waals metal electrodes for sub-1-nm MoS2vertical transistors”为题发表在《自然·电子学》(Nature Electronics)杂志上,湖南大学物电院为第一单位,刘渊教授为通讯作者,物电院研究生刘丽婷为第一作者。
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